隨著第四次全球工業(yè)革命推動電子及AI（人工智能）驅(qū)動應(yīng)用的快速增長，各行業(yè)對更高效、更經(jīng)濟的電力供應(yīng)設(shè)備的需求正在上升。傳統(tǒng)硅半導體器件因其固有限制而無法滿足該等應(yīng)用的需求。

作為最新一代半導體材料，氮化鎵半導體器件近年來已廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)，有望在功率半導體行業(yè)的持續(xù)變革中發(fā)揮關(guān)鍵作用。而AI的強勢崛起，則為氮化鎵創(chuàng)造了新的增量市場。

作為氮化鎵功率半導體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，英諾賽科登陸資本市場是公司發(fā)展的重要里程碑，也是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個亮點。隨著英諾賽科成功登陸港股，將有望進一步提升其在全球氮化鎵市場的地位，并在圍繞氮化鎵功率器件的AI服務(wù)器電源爭奪戰(zhàn)中占得先機。

AI算力催生新需求

2023年，伴隨ChatGPT風靡全球，AIGC加速推動其下游業(yè)務(wù)，對上游算力支撐提出巨大需求，數(shù)據(jù)中心放量確定性極強。氮化鎵功率半導體主要用于數(shù)據(jù)中心的PSU電源供應(yīng)單元。

與硅基其他半導體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導通電阻低、無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導體芯片能夠有效降低能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，并實現(xiàn)更小的器件尺寸。

據(jù)了解，在人工智能及其他運算密集型應(yīng)用的推動下，GPU及CPU正朝著更大的電流、更強的動態(tài)回應(yīng)及更高的功率密度發(fā)展，進而產(chǎn)生更高的電力需求。高頻氮化鎵功率器件的應(yīng)用可以有效地減少電感器的體積，為GPU周邊騰出空間，從而滿足高功率需求。此外，具有更高切換速度和更低能量損耗的氮化鎵服務(wù)器電源能夠?qū)?shù)據(jù)中心服務(wù)器的輸出功率提高約50%，從而支持更高的算力需求，同時節(jié)省約30%的能源。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow在接受專訪時表示：“AI數(shù)據(jù)中心所消耗的能源逐月增加。為AI處理器供電，需要將輸入的高電壓轉(zhuǎn)換為低電壓，中間要經(jīng)過多個階段，把電壓從大約220伏一直降到0.5伏。碳化硅通常用于高電壓場景。AI處理器供電第一階段的電壓轉(zhuǎn)換，即從220伏到48伏，既用到了碳化硅器件，也用到了氮化鎵器件。之后，將電壓從48伏降至0.5伏這個階段，完全可以由氮化鎵完成。”

氮化鎵廠商紛紛入局

在人工智能、云計算、加密貨幣等終端應(yīng)用的強勁需求推動下，全球算力規(guī)模預(yù)計將從2023年的1494.9EFlops增長至2028年的18282.3EFlops，復合年增長率為65%。

數(shù)據(jù)中心消耗大量能源，增長迅速，占全球電力需求的份額逐年增加。2023年，全球數(shù)據(jù)中心占全球電力需求的1.4%，預(yù)計到2028年將增至9.4%。氮化鎵功率半導體在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用包括電源裝置和中間總線變換器(IBC），主要滿足對更高效、更緊湊的電源解決方案的需求。氮化鎵功率半導體的應(yīng)用將成為優(yōu)化數(shù)據(jù)中心能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。

Trend Force集邦咨詢最新的《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，預(yù)估2030年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模有望上升至43.76億美元。隨著AI技術(shù)的不斷演進和數(shù)據(jù)算力需求的持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心的能源效率和功率密度要求會越來越嚴苛，對各大廠商氮化鎵功率器件產(chǎn)品的性能要求也會越來越高。隨著氮化鎵產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，以及AI生態(tài)的持續(xù)繁榮，氮化鎵和AI的交集也會越來越多。

這一產(chǎn)業(yè)趨勢為全球氮化鎵廠商帶來了前所未有的發(fā)展機遇，面對其廣闊的市場空間和巨大的增長潛力，業(yè)內(nèi)廠商紛紛摩拳擦掌，或提升研發(fā)實力，或加碼量產(chǎn)能力，激烈的行業(yè)競爭難以避免。

目前，氮化鎵功率器件廠商們關(guān)于AI服務(wù)器電源的爭奪戰(zhàn)已經(jīng)打響，英諾賽科等多個玩家已入局。

國內(nèi)廠商方面，面對海外巨頭的圍追堵截，英諾賽科跨越重重阻礙，打破技術(shù)封鎖，從2017年成立，英諾賽科快速成長為氮化鎵市場份額第一。2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市占率高達42.4%。

上市融資加速產(chǎn)能擴張

充足的產(chǎn)能和技術(shù)儲備，將為有備而來的氮化鎵企業(yè)在人工智能浪潮中搶占先機。

截至2024年6月30日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能為每月12500片晶圓，已為抓住蓬勃發(fā)展的功率半導體市場的機遇做好充分準備。英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，蘇州的制造工廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。與6英寸硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)技術(shù)能夠使每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。

作為IDM企業(yè)，英諾賽科實現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程自主控制，這種全產(chǎn)業(yè)鏈模式使得公司能夠更加靈活地應(yīng)對市場變化，快速推出符合市場需求的新產(chǎn)品。目前公司擁有蘇州和珠海兩個生產(chǎn)基地，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆。

隨著英諾賽科順利登陸港股，對接資本市場，將有望借助資本市場的力量，進一步加速其全球擴張計劃、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴充。

根據(jù)募資計劃，英諾賽科擬將60%的募資資金用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓；另外20%的募資資金將用于研發(fā)和擴大氮化鎵產(chǎn)品組合，進一步提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率。剩余資金則分別投入約10%用于擴大全球分銷網(wǎng)絡(luò)、營運資金等。