隨著碳化硅上游襯底行業(yè)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)降價(jià)，整個(gè)行業(yè)面臨日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。

一名碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈公司高管對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析，碳化硅襯底的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)最早主要由海外頭部廠商推動(dòng)，大約自2024年下半年在國(guó)內(nèi)有進(jìn)一步傳導(dǎo)。

這一方面源于海外大廠在全球范圍內(nèi)積極擴(kuò)產(chǎn)，但需求量并沒有快速填補(bǔ)，導(dǎo)致海外建廠原本就面臨產(chǎn)能過量的客觀環(huán)境；另一方面，全球都在推進(jìn)更大尺寸碳化硅晶圓商用，這也意味著將有更大規(guī)模碳化硅產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。二者結(jié)合，令整體市場(chǎng)供給較為豐盈。

目前新能源汽車行業(yè)是碳化硅芯片的最大下游市場(chǎng)，其次是風(fēng)光儲(chǔ)能。隨著價(jià)格下行，也有望推進(jìn)包括數(shù)據(jù)中心、AR眼鏡等新領(lǐng)域擁抱碳化硅產(chǎn)品。對(duì)于廠商來說，尋求更可持續(xù)的增量發(fā)展空間也是重要命題。

但不可忽視的是，如此競(jìng)爭(zhēng)也意味著行業(yè)中將面臨市場(chǎng)格局變換，新一輪搶位賽正在打響。

持續(xù)增長(zhǎng)

在整體汽車芯片市場(chǎng)面臨庫(kù)存壓力的背景下，碳化硅器件作為汽車芯片市場(chǎng)的一部分，仍然顯現(xiàn)出逆勢(shì)增長(zhǎng)表現(xiàn)。

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商天岳先進(jìn)2024年度財(cái)報(bào)顯示，公司在當(dāng)年實(shí)現(xiàn)扭虧。期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入17.68億元，同比增加41.37%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.79億元，上一年則是虧損約4572萬元。

芯聯(lián)集成發(fā)布2024年度業(yè)績(jī)預(yù)告顯示，公司2024年碳化硅業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入約10.16億元。

不過相比之下，天岳先進(jìn)的收入年增速有所放緩。2023財(cái)年公司收入同比增長(zhǎng)199.9%至約12.51億元，增速遠(yuǎn)高于2024年。同時(shí)，天岳先進(jìn)的碳化硅襯底年產(chǎn)量增速高于收入增速。公告顯示，2024年公司碳化硅襯底產(chǎn)量41.02萬片，較2023年增長(zhǎng)56.56%，產(chǎn)量屢創(chuàng)歷史新高。

從區(qū)域市場(chǎng)來看，公司在境外地區(qū)的毛利率水平和增速表現(xiàn)領(lǐng)跑。

從四個(gè)單季度表現(xiàn)來看，天岳先進(jìn)在第三和第四季度，盈利能力出現(xiàn)一定下滑。這與前一個(gè)完整財(cái)年的表現(xiàn)迥異，2023年度公司還在著力實(shí)現(xiàn)扭虧，第三和第四季度就是單季度開始扭虧的時(shí)段。

這側(cè)面與前述碳化硅芯片領(lǐng)域出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的趨勢(shì)相印證。

CIC灼識(shí)咨詢執(zhí)行董事余怡然告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，2024年碳化硅（SiC）晶圓市場(chǎng)經(jīng)歷了顯著的價(jià)格調(diào)整，降價(jià)幅度達(dá)近30%。具體來說，6英寸SiC襯底的價(jià)格在2024年中期已經(jīng)跌至500美元以下，接近中國(guó)制造商的生產(chǎn)成本線，而到了第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元。

瀚天天成在港股IPO招股書中提到，2024年，6英寸碳化硅外延芯片的價(jià)格約為每片人民幣7300元，預(yù)計(jì)到2029年將降至每片人民幣4400元，主要原因是碳化硅襯底價(jià)格下降。

沙利文大中華區(qū)合伙人兼董事總經(jīng)理陸景也對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析，經(jīng)過激烈的市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，目前主流的導(dǎo)電型碳化硅襯底單價(jià)已經(jīng)出現(xiàn)企穩(wěn)現(xiàn)象，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)趨于理性。之后碳化硅襯底的單價(jià)雖然還會(huì)繼續(xù)下降，但下降的主要原因是工藝技術(shù)更加成熟推動(dòng)良率提升，并且襯底大尺寸化推動(dòng)單位成本下降。

落地加速

隨著碳化硅晶圓持續(xù)從小尺寸向大尺寸量產(chǎn)推進(jìn)，將為市場(chǎng)帶來更為豐富的碳化硅器件產(chǎn)品。

據(jù)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者了解，目前碳化硅上游廠商主要在推動(dòng)用6英寸晶圓大規(guī)模替代4英寸晶圓，8英寸晶圓技術(shù)也在走向成熟量產(chǎn)過程中。

對(duì)此，前述高管對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，“從應(yīng)用市場(chǎng)看，碳化硅器件有80%應(yīng)用在新能源汽車上，這一市場(chǎng)的主力就是中國(guó)。因此無論全球如何擴(kuò)產(chǎn)，重要銷售目的地還是中國(guó)，我們認(rèn)為，在這種競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中，最重要是平衡效率和成本問題。”多名業(yè)內(nèi)高管對(duì)記者表達(dá)了類似觀點(diǎn)。

“個(gè)人認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品在今年下半年會(huì)出現(xiàn)新一輪6英寸襯底價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，明年會(huì)面臨8英寸襯底價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。”前述高管對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析，經(jīng)過這兩輪競(jìng)爭(zhēng)后，預(yù)計(jì)行業(yè)整合將基本完成，2027年左右新格局將出現(xiàn)?！懊媾R競(jìng)爭(zhēng)有兩個(gè)著眼點(diǎn)：技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)力。哪怕只比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手好一些，就更具備競(jìng)爭(zhēng)力，最終‘剩者為王’?！彼赋?。

價(jià)格下降的另一面是應(yīng)用空間也在擴(kuò)大。在碳化硅行業(yè)發(fā)展早期，相對(duì)積極采用這類產(chǎn)品的終端廠商是特斯拉，背后就源于大量終端公司對(duì)碳化硅彼時(shí)較高的應(yīng)用成本有所顧慮，同時(shí)對(duì)安全性等方面也在觀望。

如今已經(jīng)有更多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)μ蓟柰度敫哧P(guān)注度。

瀚天天成在港股招股書中提到，2024年電動(dòng)汽車使用的碳化硅功率半導(dǎo)體器件占全球市場(chǎng)的74.4%；其次是充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，其于2024年的市場(chǎng)份額為7.8%；可再生能源及儲(chǔ)能系統(tǒng)領(lǐng)域亦呈現(xiàn)增長(zhǎng)勢(shì)頭。

對(duì)此，陸景對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，碳化硅襯底成本持續(xù)下降，尤其是單位成本持續(xù)下降，會(huì)加快碳化硅功率器件對(duì)硅基IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的替代，尤其是在高壓領(lǐng)域，例如新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能等場(chǎng)景。

“我們認(rèn)為，目前碳化硅對(duì)硅基功率器件的取代趨勢(shì)比較明顯。除了汽車領(lǐng)域之外，工業(yè)控制也在導(dǎo)入這類產(chǎn)品，碳化硅工業(yè)級(jí)MOSFET正在大量取代硅基MOSFET?！鼻笆龈吖軐?duì)記者補(bǔ)充道。

當(dāng)然在此環(huán)境下，國(guó)內(nèi)碳化硅器件公司仍需加速努力以擁抱這一機(jī)會(huì)。陸景對(duì)記者指出，目前國(guó)內(nèi)頭部碳化硅襯底廠商的技術(shù)實(shí)力比較接近海外廠商，但全球碳化硅功率器件市場(chǎng)仍由海外廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，國(guó)內(nèi)廠商還存在一定技術(shù)和規(guī)模差距?！半S著國(guó)產(chǎn)廠商技術(shù)能力提升以及國(guó)際貿(mào)易政策影響，國(guó)內(nèi)碳化硅器件廠商的市場(chǎng)占比有望持續(xù)提升?！?/p>